![晶圓表面測量應(yīng)用開發(fā)背景]( "晶圓表面測量應(yīng)用開發(fā)背景")
說明：
現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的目標(biāo)是為便攜式產(chǎn)品開發(fā)具有越來越小和更薄封裝的電子設(shè)備。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)最重要的步驟之一是通過機(jī)械研磨工藝將加工后的硅晶片從背面減薄至 50μm 以下。為了避免應(yīng)力和亞表面損傷，這對表面粗糙度要求非常高，在最終研磨步驟中，該粗糙度可能在 1 nm Ra 的范圍內(nèi)。測量這一等級的表面粗糙度的常用方法是通過共聚焦顯微鏡 (CFM)、白光干涉儀 (WLI) 或原子力顯微鏡 (AFM) 進(jìn)行單點(diǎn)或是劃線測量。但這些儀器的缺點(diǎn)是對機(jī)械環(huán)境噪聲敏感，測量時(shí)間長。這里，我們將介紹一種新型的散射光測量方法，該方法能夠在不到 30 秒的時(shí)間內(nèi)測量直徑300 mm整個(gè)晶圓表面。除了粗糙度，傳感器還同時(shí)測量翹曲、波紋度和缺陷。同時(shí)將展現(xiàn)采用不同粒度研磨表面的測試結(jié)果分析。 晶圓表面加工工藝過程極小和高密度電子產(chǎn)品的趨勢需要先進(jìn)的工藝來滿足設(shè)備的厚度和熱性能規(guī)格。這意味著處理后的硅晶片必須從其原始厚度超過 700 µm 減薄至 50 µm 或更小。最常見且成本相對較低的減薄方法是通過機(jī)械去除殘余硅的背面研磨。晶片固定在多孔真空吸盤上，IC（集成電路）面朝下。砂輪的旋轉(zhuǎn)軸與晶片的旋轉(zhuǎn)軸離軸定位（距離是晶片的半徑）。卡盤呈略呈圓錐形的形狀，以很小的傾斜度使晶片變形，以確保砂輪在研磨過程中僅接觸晶片的一半。由于卡盤的旋轉(zhuǎn)和砂輪的同時(shí)旋轉(zhuǎn)，在晶片表面上產(chǎn)生了典型的螺旋劃痕圖案。根據(jù)砂輪的粒度以及轉(zhuǎn)速和進(jìn)給率等加工參數(shù)，這種機(jī)械沖擊是造成粗糙度、應(yīng)力和誘發(fā)亞表面損傷的原因。因此，現(xiàn)代晶圓磨床從粗砂輪開始，先是快速去除多余硅，最后使用小粒度砂輪進(jìn)行精細(xì)研磨。當(dāng)減薄至 50 µm 以最大程度地減少次表面損傷和應(yīng)力時(shí)，這個(gè)最終過程是絕對必要的。表面粗糙度通常應(yīng)在 Ra 當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)測量方法的局限性是砂輪與其大量單刀刃的相互作用，與硅表面經(jīng)歷不均...
說明：
工業(yè)機(jī)器人各軸系的水平偏差調(diào)整測量主題工業(yè)機(jī)器人的精準(zhǔn)程度直接依賴于每個(gè)軸系的調(diào)平情況測量任務(wù)工業(yè)機(jī)器人的各軸系的水平偏差調(diào)整測量不僅僅在生產(chǎn)線制造組裝結(jié)束時(shí)需要測試，在客戶現(xiàn)場安裝調(diào)整后同樣需要測試。根據(jù)測試結(jié)果，技術(shù)人員在客戶現(xiàn)場進(jìn)行調(diào)整并將誤差補(bǔ)償存儲到過程控制系統(tǒng)內(nèi)。解決方案將所有機(jī)械手的軸系放置到零位。配合訂制的2D雙自由度測量傳感器，可以采集該軸系在XY雙方向與工業(yè)機(jī)器人基座參考位上XY雙方向的角度偏差然后將此誤差補(bǔ)償存儲到過程控制系統(tǒng)內(nèi)。
說明：
大壩的長期監(jiān)測項(xiàng)目測量任務(wù)對于長期監(jiān)測大壩的要求不斷增加的早期大壩壩體測試主要是進(jìn)行定期測量，但今天越來越多的大壩從設(shè)計(jì)開始就要求進(jìn)行永久監(jiān)控測量目標(biāo)對大壩傾斜的變化進(jìn)行長期監(jiān)測解決方案一個(gè)或多個(gè)ZeroMATIC傳感器安裝在水壩壩體上非常穩(wěn)固的部位。這些傳感器連接到一個(gè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，用于數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)可在客戶自定義時(shí)間間隔內(nèi)發(fā)回監(jiān)測站。根據(jù)客戶測量需求ZeroMATIC 2/1的測量頻率可以設(shè)置為每小時(shí)采集一次數(shù)據(jù)ZeroMATIC 2/2的測量頻率可以設(shè)置為1Hz進(jìn)行測量